2通道数字隔离器
隔离与接口
超宽二氧化硅隔离栅 (20um)
√创新的CMOS隔离电容工艺
√高隔离耐压 （实测超过7kV)
高EMC性能
√业界最高CTMI指标达到150kV/us，有效隔离共模噪声
√业界最佳芯片级ESD性能HBM可达±6kV
√优异的系统级ESD,EFT及抗浪涌能力
高可靠性
√严格保障每一颗隔离芯片的品质
√100%隔离耐压等级测试（Hotpot)
√100%局部放电测试 （Partial Discharge)
√部分型号满足AEC-Q100标准(MSL 1)
√创新的CMOS隔离电容工艺
√高隔离耐压 （实测超过7kV)
高EMC性能
√业界最高CTMI指标达到150kV/us，有效隔离共模噪声
√业界最佳芯片级ESD性能HBM可达±6kV
√优异的系统级ESD,EFT及抗浪涌能力
高可靠性
√严格保障每一颗隔离芯片的品质
√100%隔离耐压等级测试（Hotpot)
√100%局部放电测试 （Partial Discharge)
√部分型号满足AEC-Q100标准(MSL 1)
- 1+：￥7.7
- 50+：￥7.5
- 5000+：6.8
- 50000+：更多优惠
| Part No. | CH Type | Fwd CH | Max DR (Mbps) | Prop Delay (ns) | Iso Rating (kV) | Default Output | AEC-Q100 | Package Type |
| NSi8100N | 双向 | 2 | 4 | 25 | 3.75 | 否 | 否 | SOIC8 |
| NSi8100NQ | 双向 | 2 | 4 | 25 | 3.75 | 否 | 是 | SOIC8 |
| NSi8100W | 双向 | 2 | 4 | 25 | 5 | 否 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8101N | 双向 | 2 | 4 | 25 | 3.75 | 否 | 否 | SOIC8 |
| NSi8101NQ | 双向 | 2 | 4 | 25 | 3.75 | 否 | 是 | SOIC8 |
| NSi8101W | 双向 | 2 | 4 | 25 | 5 | 否 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8120N0 | 单向 | 2 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 否 | SOIC8 |
| NSi8120N0Q | 单向 | 2 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 是 | SOIC8 |
| NSi8120N1 | 单向 | 2 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 否 | SOIC8 |
| NSi8120N1Q | 单向 | 2 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 是 | SOIC8 |
| NSi8120W0 | 单向 | 2 | 150 | 10 | 5 | 低电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8120W1 | 单向 | 2 | 150 | 10 | 5 | 高电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8121N0 | 双向 | 1 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 否 | SOIC8 |
| NSi8121N0Q | 双向 | 1 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 是 | SOIC8 |
| NSi8121N1 | 双向 | 1 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 否 | SOIC8 |
| NSi8121N1Q | 双向 | 1 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 是 | SOIC8 |
| NSi8121W0 | 双向 | 1 | 150 | 10 | 5 | 低电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8121W1 | 双向 | 1 | 150 | 10 | 5 | 高电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8122N0 | 双向 | 1 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 否 | SOIC8 |
| NSi8122N0Q | 双向 | 1 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 是 | SOIC8 |
| NSi8122N1 | 双向 | 1 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 否 | SOIC8 |
| NSi8122N1Q | 双向 | 1 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 是 | SOIC8 |
| NSi8122W0 | 双向 | 1 | 150 | 10 | 5 | 低电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8122W1 | 双向 | 1 | 150 | 10 | 5 | 高电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8130N0 | 单向 | 3 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 否 | NB-SOIC16 |
| NSi8130N0Q | 单向 | 3 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 是 | NB-SOIC16 |
| NSi8130N1 | 单向 | 3 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 否 | NB-SOIC16 |
| NSi8130N1Q | 单向 | 3 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 是 | NB-SOIC16 |
| NSi8130W0 | 单向 | 3 | 150 | 10 | 5 | 低电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8130W1 | 单向 | 3 | 150 | 10 | 5 | 高电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8131N0 | 双向 | 2 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 否 | NB-SOIC16 |
| NSi8131N0Q | 双向 | 2 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 是 | NB-SOIC16 |
| NSi8131N1 | 双向 | 2 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 否 | NB-SOIC16 |
| NSi8131N1Q | 双向 | 2 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 是 | NB-SOIC16 |
| NSi8131W0 | 双向 | 2 | 150 | 10 | 5 | 低电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8131W1 | 双向 | 2 | 150 | 10 | 5 | 高电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8140N0 | 单向 | 4 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 否 | NB-SOIC16 |
| NSi8140N0Q | 单向 | 4 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 是 | NB-SOIC16 |
| NSi8140N1 | 单向 | 4 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 否 | NB-SOIC16 |
| NSi8140N1Q | 单向 | 4 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 是 | NB-SOIC16 |
| NSi8140W0 | 单向 | 4 | 150 | 10 | 5 | 低电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8140W1 | 单向 | 4 | 150 | 10 | 5 | 高电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8141N0 | 双向 | 3 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 否 | NB-SOIC16 |
| NSi8141N0Q | 双向 | 3 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 是 | NB-SOIC16 |
| NSi8141N1 | 双向 | 3 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 否 | NB-SOIC16 |
| NSi8141N1Q | 双向 | 3 | 150 | 10 | 3.75 | 高电平 | 是 | NB-SOIC16 |
| NSi8141W0 | 双向 | 3 | 150 | 10 | 5 | 低电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8141W1 | 双向 | 3 | 150 | 10 | 5 | 高电平 | 否 | WB-SOIC16 |
| NSi8142N0 | 双向 | 2 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 否 | NB-SOIC16 |
| NSi8142N0Q | 双向 | 2 | 150 | 10 | 3.75 | 低电平 | 是 | NB-SOIC16 |
| Part No. | CH Type | Fwd CH | Max DR (Mbps) | Prop Delay (ns) | Iso Rating (kV) | Default Output | AEC-Q100 | Package Type |
