3通道数字隔离器
隔离与接口
超宽二氧化硅隔离栅 (20um)
√创新的CMOS隔离电容工艺
√高隔离耐压 （实测超过7kV)
高EMC性能
√业界最高CTMI指标达到150kV/us，有效隔离共模噪声
√业界最佳芯片级ESD性能HBM可达±6kV
√优异的系统级ESD,EFT及抗浪涌能力
高可靠性
√严格保障每一颗隔离芯片的品质
√100%隔离耐压等级测试（Hotpot)
√100%局部放电测试 （Partial Discharge)
√部分型号满足AEC-Q100标准(MSL 1)
√创新的CMOS隔离电容工艺
√高隔离耐压 （实测超过7kV)
高EMC性能
√业界最高CTMI指标达到150kV/us，有效隔离共模噪声
√业界最佳芯片级ESD性能HBM可达±6kV
√优异的系统级ESD,EFT及抗浪涌能力
高可靠性
√严格保障每一颗隔离芯片的品质
√100%隔离耐压等级测试（Hotpot)
√100%局部放电测试 （Partial Discharge)
√部分型号满足AEC-Q100标准(MSL 1)
- 1+：￥7.7
- 50+：￥7.5
- 5000+：6.8
- 50000+：更多优惠
